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シリコン系エピ・CVD装置の排ガス

2011年1月12日 19:42

 薄膜処理のエピタキシャル装置(Epitaxial Growth )などは気相成長法
CVD( Chemical Vaper Deposition Method )により行われることが多
く、成膜装置から排出される排ガスには、次のようなものがあります。

エピタキシャル成長膜形成
 SiCl4 + 2H2 → Si + 4HCl
 SiH2Cl2 → Si + 2HCl
 SiH4 → Si + 3HCl
 SiHCl3 + H2 → Si + 3HCl

酸化シリコン膜形成
 SiH4 + 2O2 → SiO2 2H2O
 SiH4 + 2H2O → SiO2 + 4H2
 SiCl4 + 2NO + 2H2 → SiO2 + 4HCl + N2
 SiCl4 + 2CO2 + 2H2 → SiO2 + 4HCl + 2CO
 SiH2Cl2 + 2N2O → SiO2 + 2HCl + 2N2

窒化シリコン膜形成
 3SiH2Cl2 + 4NH3 → Si3N4 + 6HCl + 6H2
 3SiH4 + 4NH3 → Si3N4 + 12H2

多結晶シリコン膜形成
 SiH4 → Si + 2H2


使用されるガスは、SiH4,SiH2Cl2,SiHCl3,SiCl4 などが主要な材料です。その
うちエピタキシャル成長には SiCl4 ガスを使用し、薄膜形成には SiH4ガスが使用され
これらのシリコン系ガスの除去が必要になります。排ガスには使用している原料ガスが
そのまま排出されますので、反応ガスと原料ガス両面で考える必要があるのです。


特殊ガスのご用命、特殊ガス用調整器、特殊ガス用マスフローコントローラー、特殊ガス配管工事など
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ありがとうございます

今日の埼玉県川口市のお天気は?
 2011年1月12日 水曜日
 天気 はれ
 ボンベ庫の温度 朝1℃、昼3℃、夜4℃

です。


「よおっ、征夷大将軍!」

 将軍の徳川家茂が上洛する際、ある一人の男がヤジを飛ばしました。

 将軍にヤジを飛ばすなんてありえない。
 前代未聞の事態です。
 ヤジを飛ばしたのは、吉田松陰の弟子、問題児・高杉晋作でした。

「高杉晋作は、革命家としての才能は、おそらく幕末随一であったろう。
 幕末には、坂本龍馬、西郷隆盛、大久保利通、桂小五郎など、雲の如く
 人物が出たが、かれらは革命期以外の時代に出ても使い道のある男ども
 だが、高杉晋作は、革命期以外には使い道がない程の天才であった。」
 (司馬遼太郎)

「彼のために、腹を切らせられることもあると絶えず覚悟していた。」
(山県有朋)

「動けば雷電の如く 発すれば風雨の如し 衆目がい然 敢えて正視するものなし。」
 (伊藤博文)

「鼻輪を通されぬ暴れ牛」
 (吉田稔麿)

(ひすいこたろう著 名言セラピー幕末スペシャル The Revolutionより)

 by との

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