ｼﾘｺﾝ系ｴﾋﾟ･CVD装置の排ｶﾞｽ
薄膜処理のエピタキシャル装置（Epitaxial Growth ）などは気相成長法
CVD（ Chemical Vaper Deposition Method ）により行われることが多
く、成膜装置から排出される排ガスには、次のようなものがあります。
ｴﾋﾟﾀｷｼｬﾙ成長膜形成
SiCl4 + 2H2 → Si + 4HCl
SiH2Cl2 → Si + 2HCl
SiH4 → Si + 3HCl
SiHCl3 + H2 → Si + 3HCl
酸化ｼﾘｺﾝ膜形成
SiH4 + 2O2 → SiO2 2H2O
SiH4 + 2H2O → SiO2 + 4H2
SiCl4 + 2NO + 2H2 → SiO2 + 4HCl + N2
SiCl4 + 2CO2 + 2H2 → SiO2 + 4HCl + 2CO
SiH2Cl2 + 2N2O → SiO2 + 2HCl + 2N2
窒化ｼﾘｺﾝ膜形成
3SiH2Cl2 + 4NH3 → Si3N4 + 6HCl + 6H2
3SiH4 + 4NH3 → Si3N4 + 12H2
多結晶ｼﾘｺﾝ膜形成
SiH4 → Si + 2H2
使用されるガスは、SiH4,SiH2Cl2,SiHCl3,SiCl4 などが主要な材料です。その
うちｴﾋﾟﾀｷｼｬﾙ成長には SiCl4 ガスを使用し、薄膜形成には SiH4ガスが使用され
これらのｼﾘｺﾝ系ｶﾞｽの除去が必要になります。排ｶﾞｽには使用している原料ｶﾞｽが
そのまま排出されますので、反応ｶﾞｽと原料ｶﾞｽ両面で考える必要があるのです。
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今日の埼玉県川口市のお天気は？
2011年1月12日 水曜日
天気 はれ
ボンベ庫の温度 朝1℃、昼3℃、夜4℃
です。
「よおっ、征夷大将軍！」
将軍の徳川家茂が上洛する際、ある一人の男がヤジを飛ばしました。
将軍にヤジを飛ばすなんてありえない。
前代未聞の事態です。
ヤジを飛ばしたのは、吉田松陰の弟子、問題児・高杉晋作でした。
「高杉晋作は、革命家としての才能は、おそらく幕末随一であったろう。
幕末には、坂本龍馬、西郷隆盛、大久保利通、桂小五郎など、雲の如く
人物が出たが、かれらは革命期以外の時代に出ても使い道のある男ども
だが、高杉晋作は、革命期以外には使い道がない程の天才であった。」
（司馬遼太郎）
「彼のために、腹を切らせられることもあると絶えず覚悟していた。」
（山県有朋）
「動けば雷電の如く 発すれば風雨の如し 衆目がい然 敢えて正視するものなし。」
（伊藤博文）
「鼻輪を通されぬ暴れ牛」
（吉田稔麿）
（ひすいこたろう著 名言ｾﾗﾋﾟｰ幕末ｽﾍﾟｼｬﾙ The Revolutionより）
by との