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エッチングガス Etching Gas

2010年7月22日 20:42

Q.エッチングとは?

A.レジストなどで作られたパターンを保護マスクにして、その下にある Si2 や Si3N4
  ポリシリコン、配線金属などに同じパターンを蝕刻する技術です。


 このうちガスを化学反応させてエッチングする方法がドライエッチング(Dry Etching)
で、真空中に反応ガスを入れて高周波電源をを加えると放電が生じて電離状態のプラ
ズマができます。そこで、電界で加速された電子との衝突によりガスが解離して、イオン
やラジカル原子や分子が生成されます。試料がプラズマ中に置かれる場合がプラズマ
エッチングで、試料とプラズマ領域が分離されている場合はドライケミカルエッチングと
言います。

以下に主なエッチング物質とエッチングガスを列記します。

エッチング物質 : エッチングガス
Si   : CF4,SF6,NF3,SiF4,BF3,XeF2,ClF3,SiCl4,PCl3,BCl3,Cl2,HCl,HBr,Br2,HI,I2

SiO  : CHF3,CF4+H2,C2F6,C3F8,c-C4F8

Al   : BCl3,SiCl4,Br2,BBr3,HBr

Si3N4 : CF4,SiF4,NF3,C2F6,CHF3,c-C4F8

レジスト : O2,CF4+O2

Mo   : CF4

MoSi2 : SF6+O2

W   : CF4,SF6+O2,SF6+Cl2+O2

Ti   : CF4,O2,SF6+O2,Cl2+He

Ta   : CF4,O2,SF6+O2

Cr   : Cl2

a-Si  : CF4+O2,Cl2+SF6

SnO2 : CH3OH,C2H5OH,Cl2+O2

GaAs : CF4,BCl3+Cl2


エッチングガスやエッチングガス用供給設備(配管工事含む)のことなら
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TEL 050-8881-7393
E-mail : CutHere_info@klchem.co.jp

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 7月22日 木曜日
 天気 はれ
 ボンベ庫の温度 朝32℃、昼37℃、夜36℃

です。


井の中の蛙、

大海を知らず。

されど、空の青さを知る。


一見、狭い世界でも、

深めた先にあるのは

果てしない宇宙。

 by との

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