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Moleculor Beam Epitaxy （ＭＢＥ）
ＭＢＥ（分子線エピタキシー装置は超高真空下で薄膜製造する
ＧａＡｓ系光デバイス用として利用されています。ＧａＡｓにＡｌをドー
ピングしたデバイスを作成されてから実用化した真空装置です。
基本的には蒸着と同じように、蒸発する分子線の強度を小さくし
て制御することで、ターゲットに付着した分子や原子の表面に移
動する時間と熱を移動させます。
結晶の成長速度が分子線の強度により表面を移動するため
その間に分子線以外の元素が基盤に達するのを少なくする必要
があるため、チャンバー内の真空度を 10 -9 Pa 以下にすることが
望ましいとされます。
真空排気系にはイオンポンプやＴＳＰ（チタンサブリメーションポンプ）
を利用し、チャンバー自身も２００℃弱のベーキングを行い超高真空
を保持できる極めてリークの少ない真空チャンバーであることも必要
です。
超高真空機器・回転導入器、直線導入器、マニピュレーター
温度調整機構付きサンプルステージなど、超高真空コンポーネント
のことなら、川口液化ケミカル株式会社まで、どうぞご相談ください。
ＴＥＬ ０５０−８８８１−７３９３
ありがとうございます
今日の川口のお天気は？
３月１３日 金曜日
天気 晴れのち雨
ボンベ庫の温度 朝５℃、昼１１℃、夜１０℃
です。
ごくごく最近の秋葉原駅周辺をご覧になられましたでしょうか？
駅前のヨドバシカメラの壮観さもさることながら、昔、スケボーや
バスケットをしていた広場が綺麗な近代的なビルになり、飲食店
なども整備され、ぐるぐる回っていると、知らないデパートのように
どちらに向かって歩いているかわからないほど様変わりしましたね。
とにかく、ＪＲ駅東側も西側もすごい建物です。
投稿者: 管理人 日時: 2009年3月13日 23:25 | 固定リンク：Moleculor Beam Epitaxy （ＭＢＥ）