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CVD工程

2008年3月23日 22:44

 シリコン半導体の加工工程5回目のお知らせです。

 CVD工程は、ケミカルベーパーデポジションの略で特殊材料ガスを
利用し、シリコンウェハ表面近くで化学反応を行い、基板上に薄膜を
形成します。薄膜は酸化膜などの絶縁膜や半導体膜、金属膜などが
あります。エピタキシャル成長膜が高温による処理なのに比べ、多結
晶シリコン膜でも600〜700℃で、一般的には400℃前後で低温反応
なのが特徴です。この反応にはエネルギーが必要で、一般には熱を
利用し、放電プラズマの併用や光エネルギーなども利用されております。
酸化膜では酸素を利用し、窒化膜ではアンモニアなどを利用し反応させ
形成させます。

特殊材料ガス、酸素ガス、アンモニアガスなど
川口液化ケミカル株式会社までお気軽にご相談
ください。

TEL 048-282-3665

E-mail : CutHere_info@klchem.co.jp

ありがとうございます。


今日の埼玉のお天気は?
 3月24日
 天気 はれ
 気温 11℃

です。
NHK大河ドラマで篤姫が薩摩から京へ旅立ちましたね。
「あなたらくし、元気であれば、それでよい。」
多くを望むのでなく、元気が一番ということですね。

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