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CVD

2006年4月14日 00:12

CVD (Chemical Vapor Deposition)
高温での化学反応で酸化膜や窒化膜などの薄膜を
ウエハー上に堆積させる方法。

SiO2膜は、シランガスを酸素と反応させて作られる。
SiH4 + O2 → SiO2 + H2

層間絶縁膜に用いられる PSG を作る場合は、上記ガスに
ホスフィンを添加する。すると P が SiO2 に取り込まれて
PSG ができる。
SiH4 + PH3 +O2 → SiO2 + P2O5 + H2

保護膜の窒化膜 Si3N4 は、アンモニアとジクロルシランまたは
モノシランとの反応で作れます。
SiH2Cl2 + NH3 → Si3N4 + HCl + H2
SiH4 + NH3 → Si3N4 + H2

その他 ポリSi も、シランの熱分解で作られます。
SiH4 → Si +H2

金属膜の W も化学反応。
WH6 +Si → W + SiF4

同じく WSi2 も、化学反応により作られます。
WF6 + SiH4 → WSi2 + HF + H2

これら半導体材料ガスは、毒性が極めて強いため
シリンダーキャビネットなどの収納庫に入れて厳重に
管理する必要があるのです。

ガスシリンダーキャビネットのご相談は川口液化ケミカル株式会社
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