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薄膜作成のモニタリング

2010年7月20日 23:42

 真空蒸着やイオンプレーティング、スパッタリング、CVD、MBEなどの
薄膜を作成する際のモニタリング機器には以下のようなものが利用さ
れております。

モニタ範囲 ※精度
10-3 ~ 104Pa 隔膜真空計(真空・全圧)

10-1 ~ 103Pa ピラニ真空計(真空・全圧)
 ※ ±3%

10-5 ~ 10-1Pa 三極管形電離真空計(真空・全圧)
 ※ ±15%

10-8 ~ 10-2Pa ベヤード・アルパート真空計(真空・全圧)

10-5 ~ 10 スピニングローター真空計(真空・全圧)
 ※ 7% 1%以下 / 5年 

1~400AMU / 1.3 x 10-2Pa 以下 四重極型重量分析計(真空・分圧)

Heリークディテクター            磁界偏向質量分析計(真空・分圧)

0.02 SCCM ~ 750 SLM 熱式質量流量制御計(マスフローコントローラー)MFC(導入ガス量)
 ※ ±1%

0.5 cc/min ~ 5,000 L/min フロート式流量計(面積式)(ガス導入量)
 ※ ±2%FS                     

-273 ~ +1,900℃ 熱伝対(基板温度)           
 ※ 0.1℃

-50 ~ 3,000℃ 赤外放射温度計(基板温度)
 ※ 1℃

+40 ~ 600℃ ヒートラベル(基板温度)
 ※ ±5℃程度

0.1 nm 水晶振動子法(成膜速度・膜圧)
 ※ 0 ~ 100 μm

10 μm ~ 数 μm 光干渉法(成膜速度・膜圧)
 ※ ±1 ~ 10 nm

0.1 nm ~ 1 μm 原子吸光法(成膜速度・膜圧)
 ※ 0.1 nm

0 ~ 10 μm エリプソメーター(膜特性)
 ※ n=±0.005 , d=±0.3nm

数十 nm 以下 RHEED(膜特性)

1011 ~ 1019 個・m-3 プローブ計測法(プラズマ)

1017 ~ 1019 個・m-3 発光分光法(プラズマ)

真空・ガス導入量、基板温度、成膜速度・膜圧、膜特性、プラズマなど
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今日の埼玉川口のお天気は?
 7月20日 火曜日
 天気 はれ
 ボンベ庫の温度 朝31℃、昼37℃、夜36℃

です。

所変われば、さまざまなやり方があるものです。
鹿児島本線.jpg
鹿児島本線つり革

 by との

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