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イオン注入工程

2008年3月22日 21:57

 シリコン半導体の加工工程の4回目でイオン注入工程です。

 不純物の導入には拡散法とイオン注入法があります。高精度
で導入する場合や薄膜を介しての導入に多用されています。
イオン注入法ではドーピング物質を高真空の中でイオン化して
これを高電界で加速させ、シリコンウエハ(基板)に注入するもの
で、イオン化性と制御性に特殊材料ガス(BF3,PH3など)が利用
されます。不要なイオンは注入されないように磁界で質量分離
させるのです。ガス供給源からイオン源を介し質量分離部、加速器
走査部を経て注入部であるウエハにイオンを注入します。

高真空部の真空排気系ポンプの更新やメンテナンス、DRYポンプ
CRYOポンプへのドライ化など川口液化ケミカル株式会社まで
お気軽にご相談ください。

TEL 048-282-3665

E-mail : CutHere_info@klchem.co.jp

ありがとうございます。


今日の埼玉のお天気は?
 3月22日
 天気 はれ
 気温 9℃

です。
桑田選手がパイレーツで開幕を迎えられるかどうか
凌ぎを削り残る投手枠競争をしているそうです。
肘と同じように整形手術のジョーブ博士に足首を
施術してもらったお陰で傷の痛みを癒えて、39歳の今
本気で野球を出来る境遇を楽しんでいるとのコメントが
ありました。
素晴らしいネバーギブアップ精神ですね。

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