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エピタキシャル気相成長工程

2008年3月20日 15:54

 シリコン半導体の加工工程シリーズの2回目で
エピタキシャル気相成長工程についてです。

 通称「エピ」などと呼ばれシリコン単結晶の基板
上と同一結晶方位でかつ所望のドーピング濃度の
単結晶薄層を形成させる工程です。
 ケイ素をコートしたグラファイト板の基板に乗せて
この基板を高周波で加熱し、基板を局部的に加熱
した状態で特殊材料ガスを流入させ基板表面で気
相反応と熱分解などを行い、その生成物を基板上
に連続的に単結晶層として堆積させるものです。
 SiH4,SiH2Cl2,SiCl4,H2,B2H6,PH3 などのガスを
利用します。

特殊ガス、特殊ガスレギュレーター、特殊ガス用
バルブ、特殊ガス配管工事など
川口液化ケミカル株式会社までお気軽にご相談ください。

TEL 048-282-3665

E-mail : CutHere_info@klchem.co.jp

ありがとうございます。


今日の埼玉のお天気は?
 3月20日
 天気 あめ
 気温 8℃
です。
暖かい気温が今日はグッと冷え込んで
日中10℃を下回ってます。
NHKのテレビで異常気象や地球温暖化が
起因すると見られる日本の自然の変化が数多く
実例を交え報告されています。
寒いときに寒くないことで、大きなサイクルが
徐々に壊れ始めているようです。
できることを「今」はじめましょう、がキーワードでした。

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