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単結晶工程

2008年3月19日 23:25

 ガスを伴う半導体の分野で工程ごとにお知らせします。
本日は、「単結晶工程」です。

 半導体素子に使用するために、シリコン多結晶を単結晶
にします。単結晶化にはチョクラルスキー(CZ)法と浮遊帯
域(FZ)法とがあります。そのうちの浮遊帯域法はシャフト
状の多結晶棒の端部から高周波加熱して加熱部を移動さ
せ単結晶化させます。この結晶成長時にPH3(ホスフィン)
やB2H6(ジボラン)を微量流し多結晶を所望の抵抗値を持
つP型あるいはN型半導体にします。加熱部はシリコンの融
点である1414℃付近となっており、ドーピングに微量の特
殊材料ガスが用いられております。

特殊ガス、特殊ガス機器、特殊ガス配管のことなら
川口液化ケミカル株式会社までお気軽にご相談ください。

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ありがとうございます。


今日の埼玉のお天気は?
 3月19日
 天気 曇りのち雨
 ボンベ庫の温度 昼12℃、夜13℃

です。
雨が降ると植物がうれしがっているような気がします。
もちろん社会生活をしている突然の雨や予期せぬ降雨
は傘がなくて困ったり感じてしまいがちですが、本来は
必然なものですよね。

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