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CVD 気相化学成長法

2008年3月11日 22:50

 薄膜にしたい材料であるシリコンの化合物としてモノシラン
(シリコンと水素の化合物)や塩化シリコンの気体を高温に
加熱された基板表面で化学反応を起こさせて基板の表面に
シリコン薄膜をつくり残った水素を排気します。
 常圧で反応を起こさせる常圧CVD法と、10〜100Paの真
空下で反応を起こさせる低圧CVD法があります。より均一な
薄膜ができる低圧CVDは基盤の加熱温度を約1000℃にし
なけらばならず、高温加熱が不可欠です。そのため高周波を
組み合わせることでプラズマを発生させて300〜400℃の加
熱でも効果があるのがプラズマCVDです。
 CVD法は、炭化物から窒化物、酸化物などの化合物の薄膜
を作れます。
 ウエハや薄膜の材料、薄膜の用途など最適な方法で薄膜を
作りますが、問題はウエハとの付着強度や薄膜内部の欠陥など
があります。付着強度は、基盤が汚れていることによる問題です
ので表面上のクリーニングは重要です。微小なゴミは配線の断
線や短絡、薄膜成長の欠陥の核になるのです。
 薄膜が出来上がるとSEM(走査型電子顕微鏡)で検査をし、
超格子を作成する場合は真空を破ることなく、AES(オージェ電子
分光法)やXPS(光電子X線分光法)、RHEED(反射高速電子
回折)などで薄膜の出来上がりを検査するのです。

真空装置のコンポーネントや真空計、真空ポンプなど
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今日の埼玉のお天気は?
 3月11日
 天気 はれ
 ボンベ庫の温度 朝6℃、昼13℃

です。
水素と二酸化炭素があれば生物は誕生する。
生物はなんで生きているのか?
頭の良い先生とは、単純に物事の説明ができる
ことなのだそうです。

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