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ドライエッチング装置

2007年7月13日 20:44

 半導体デバイスの製造過程で、シリコンウエハーの上にある薄膜を
エッチング(簡単に言いますと削る)するためにドライエッチング装置を
使用します。塩素ガス系フッ素ガス系のガスを利用し1〜10 -1Pa台
の圧力で保持し、二極間で放電を発生させるとガスがイオン化され、
そのイオンの衝突でスパッタリングと活性イオンによる化学反応により
試料の表面が削られていきます。
 試料表面のマスク(レジスト膜)などが付着しているその穴を利用し
エッチングすることで表面に凹凸のパターンが作られるのです。
 ドライエッチング装置は化学反応装置ですので他の真空装置とは異
なります。一般的な真空機器は内部のガスを出来るだけ排出し綺麗な
雰囲気の状況を作ることを目的としていますが、ドライエッチチング装置
は、真空内部に反応生成物が生成されますので汚染され、その処理が
問題となりがちです。
 導入ガスの流量は反応の進むスピードや質によって決まってきます。
そのための最高の条件を維持するために真空排気系の容量は大きめな
排気セットを必要とします。


真空装置の排気系のご相談やメンテナンス、新規のポンプの検討など
川口液化ケミカル株式会社までお気軽にご相談ください。

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ありがとうございます。
よろしくお願い致します。


今日の埼玉のお天気は?
 7月13日
 天気 曇りのち雨
 ボンベ庫の温度 昼24℃、夜24℃

です。
大リーグのオールスターゲームでランニングホームランは
イチローが初だそうです。
何ごともはじめてことをなすことは、凄いことだと思いますし
なかなかできることではありません。
イチローのやっていることは、今を生きる人に力を与えてくれる
すばらしい実践ジャーだと思います。
凄いですよね〜

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